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　　1、在半导体制造过程中，硅片表面的洁净度直接影响到器件的性能和良品率；硅片吸杂是指在半导体制造过程中去除硅片表面或近表面区域的杂质、缺陷或污染物的过程。吸杂技术的目标是提高硅片的洁净度，确保后续工艺，如沉积、光刻、蚀刻等能够顺利进行，从而提高成品质量和产量；硅片吸杂产业化主要采用链式吸杂，由于工艺时间短，温度可快速调控，且可以实现快速降温，是目前电池吸杂的一种重要途径。

　　2、而为了提升吸杂后的硅片洁净度，现有技术中一般通过洗去硅片表面杂质，但现有技术中的处理工艺仅能够去除硅片表面的硅粉、油污等，未能对损伤层内杂质进行更好的去除，不利于后续的吸杂。

　　3、步骤一：将硅片浸泡在sc清洗液中去除有机物，取出后使用去离子水冲洗干净；

　　4、步骤二：将硅片置于兆声波清洗槽中，使用兆声波清洗设备在去离子水中清洗硅片，取出后使用去离子水冲洗干净；

　　8、步骤三：将硅片置于等离子体清洗设备中进行处理，取出后使用去离子水冲洗干净。

　　9、作为本发明进一步的技术方案，在步骤一中，所述sc清洗液包括氢氧化铵、过氧化氢以及去离子水，所述sc清洗液中氢氧化铵、过氧化氢以及去离子水的质量比为1:1:5。

　　10、作为本发明进一步的技术方案，在步骤一中，硅片的浸泡时间为5-10min，浸泡温度为70-80℃。

　　11、作为本发明进一步的技术方案，在步骤二中，兆声波清洗设备的频率为1-2mhz，硅片的清洗时间为3-5min。

　　13、作为本发明进一步的技术方案，在步骤三中，等离子体清洗设备功率为200-300w，处理时间为2-3min。

　　14、作为本发明进一步的技术方案，在步骤四中，所述氢氧化钾腐蚀液的浓度为1％-2％。

　　15、作为本发明进一步的技术方案，在步骤四中，硅片的处理温度为60℃-80℃，处理时间为2-5min。

　　16、作为本发明进一步的技术方案，在步骤四中，硅片的腐蚀深度为1-2μm。

　　18、本申请通过在硅片的吸杂前处理中增加氢氧化钾腐蚀处理，利用氢氧化钾腐蚀液对去除有机物后的硅片进行腐蚀处理，能够去除硅片中的损伤层，更加的有利于吸杂，并能够提升制作成的电池性能中的转换效率。

　　2.根据权利要求1所述的硅片吸杂前表面处理工艺，其特征在于，在步骤二和步骤四之间，还包括：

　　3.根据权利要求2所述的硅片吸杂前表面处理工艺，其特征在于：在步骤一中，所述sc清洗液包括氢氧化铵、过氧化氢以及去离子水，所述sc清洗液中氢氧化铵、过氧化氢以及去离子水的质量比为1:1:5。

　　4.根据权利要求2所述的硅片吸杂前表面处理工艺，其特征在于：在步骤一中，硅片的浸泡时间为5-10min，浸泡温度为70-80℃。

　　5.根据权利要求2所述的硅片吸杂前表面处理工艺，其特征在于：在步骤二中，兆声波清洗设备的频率为1-2mhz，硅片的清洗时间为3-5min。

　　6.根据权利要求2所述的硅片吸杂前表面处理工艺，其特征在于：在步骤三中，等离子体源为氧气或氩气。

　　7.根据权利要求2所述的硅片吸杂前表面处理工艺，其特征在于，在步骤三中，等离子体清洗设备功率为200-300w，处理时间为2-3min。

　　8.根据权利要求2所述的硅片吸杂前表面处理工艺，其特征在于：在步骤四中，所述氢氧化钾腐蚀液的浓度为1％-2％。

　　9.根据权利要求2所述的硅片吸杂前表面处理工艺，其特征在于：在步骤四中，硅片的处理温度为60℃-80℃，处理时间为2-5min。

　　10.根据权利要求2所述的硅片吸杂前表面处理工艺，其特征在于：在步骤四中，硅片的腐蚀深度为1-2μm。

　　本申请公开了硅片吸杂前表面处理工艺，包括如下步骤：步骤一：将硅片浸泡在SC清洗液中去除有机物，取出后使用去离子水冲洗干净；步骤二：将硅片置于兆声波清洗槽中，使用兆声波清洗设备在去离子水中清洗硅片，取出后使用去离子水冲洗干净；步骤四：将硅片浸入将硅片浸入氢氧化钾腐蚀液中；步骤五：使用氮气吹扫装置对硅片进行干燥。本发明在硅片的吸杂前处理中增加氢氧化钾腐蚀处理，利用氢氧化钾腐蚀液对去除有机物后的硅片进行腐蚀处理，能够去除硅片中的损伤层，更加的有利于吸杂，并能够提升制作成的电池性能中的转换效率。

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