k8凯发·国际

　　金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“通过湿法背面损伤提高硅片金属吸杂的工艺方法”的专利，公开号CN119890036A，申请日期为2025年1月。

　　专利摘要显示，本发明涉及一种通过湿法背面损伤提高硅片金属吸杂的工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将硅 wafer 分为若干实验组，先进行倒角磨片，然后进行酸腐蚀。第二步：选用相同粒径的 SIO2 粉末不同喷砂压力条件分别对硅 wafer 进行湿法背面软损伤处理。第三步：喷砂后的洗净并对硅 wafer 背面进行抛光。第四步：抛光后的洗净。第五步：进行硅 wafer 的金属测定和氧化诱生层错密度测定。采用背面软损伤工艺，使硅 wafer 在器件的高温热工艺中，具有一定的吸杂能力，从而降低硅片中的金属含量。利用砂料喷射与水混合，人为打伤硅片背面，这些伤痕高温氧化后会诱发大量的位错形成层错，实现吸收金属杂质的作用。

　　天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目38次，财产线条，此外企业还拥有行政许可17个。